MOSFET های الماس
نیمه رسانای با شکاف بزرگ که به طور قابل ملاحظه‌ای از نظر انرژی کارآمد است، به عنوان پیشگام در ایجاد FETها برای نسل بعدی الکترونیک به نمایش درآمده است. در حالی که الماس به عنوان ماده ای مناسب با انعطاف پذیری بیشتر شناخته می‌شود، یکی از چالش‌هایی که در ایجاد MOSFETهای ساخته شده با الماس وجود دارد، افزایش پویایی کانال حامل حفره است. با این حال، محققان فرانسوی، بریتانیایی و ژاپنی بر این باورند که می‌توان این مشکل را با استفاده از تخلیه عمیق MOSFETهای الماس با داپینگ توده بور حل کرد. اثبات این مفهوم با ساختارهای ساده، MOSFETالماس را قادر می‌سازد از پشته‌های داپینگ تک بورساخته شوند. با استفاده از این رویکرد، پویایی به میزان زیادی افزایش می‌یابد.
به گفته پژوهشگران، بسیاری از MOSFETهای الماس که تا به امروز ساخته شده‌اند از سطح الماس از بین رونده هیدروژنی برای انتقال حامل های مثبت بار – حفره‌ها – در کانال استفاده می‌کنند. اخیرا، کارکرد ساختارهای MOSالماس خنثی شده در یک ساختار معکوس شبیه به عملکرد معمول MOSFETهای سیلیکونی نشان داده شده‌اند.برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
معرفی معماری امنیتی ARM
ARMبا استفاده از بازیگران کلیدی صنعت، از قبیل گوگل، آمازون و سیسکو، راه اندازی معماری امنیتی پلت فرم (PSA) خود را معرفی می‌کند، یک مجموعه جامع از اسناد و مشخصات که ARM امیدوار است به تغییر امنیت اقتصاد کل صنعت کمک کند. ARMهمچنین در حال راه اندازیIPسیلیکونی جدید برای ساخت سیستم های امن است.
ARMدر طول یک سال سرمایه گذاری فراوانی در PSAبا توجه به گسترش روز افزون اینترنت اشیاء کرده است و قصد دارد قوانینی را برای کل صنعت، شامل مجموعه‌ای از مشخصات معماری سخت افزاری و نرم افزاری ارائه دهد. ARMمعتقد است PSAیک تغییر اساسی در امنیت اقتصاد IoTایجاد می کند و اکوسیستم‌ها را قادر می سازد تا بر اساس یک قاعده کلی از قوانین زمین برای کاهش هزینه‌ها، زمان و خطرهای مرتبط با امنیت IoTاستفاده کنند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
