دوشنبه ۲۶ مهرماه ۱۳۹۵

صرفه‌جویی در مصرف توان و کاهش مساحت با فن‌آوری جایگزین DRAM یک فن‌آوری تریستور لایه‌ای عمودی (VLT) معرفی شده است که ادعا می‌شود مصرف توان پایین و مساحت کمتری نسبت به DRAM دارد. این حافظه جایگزین DRAM نیاز به تجدید را حذف می‌کند و همچنان با فن‌آوری‌های تولیدی موجود سازگاری دارد. VLT که بر مبنای […]

بیشتر بخوانید

دوشتبه ۱۹ مهرماه ۱۳۹۵

ساخت کوچکترین ترانزیستور با گیت ۱ نانومتری آزمایشگاه ملی لارنس برکلی ترانزیستوری با گیت ۱ نانومتر با استفاده از دی‌سولفید مولبیدن دو بعدی، یک نانوتیوب کربن و دی‌اکسید زیرکونیوم به عنوان عایق ساخته‌است. از آنجایی که طول گیت ترانزیستور بیانگر ابعاد ترانزیستور است با ساخت ترانزیستوری با گیت ۱ نانومتر و با انتخاب مواد مناسب […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۱۲ مهرماه ۱۳۹۵

کامپیوتر کوانتومی با ۲۰۰۰ کیوبیت در کمتر از یک سال آینده این سیستم جدید که دو برابر نمونه قبلی کامپیوتر کوانتومی شرکت D-Wave کیوبیت دارد، دارای ویژگی‌های کنترلی است که به کاربر امکان می‌دهد فرآیند محاسباتی کوانتومی را تنظیم کند تا بتواند پاسخ‌های متنوع بیشتری را با سرعت بیشتر بیابد. در آزمون‌های اولیه این ویژگی‌ها […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه پنجم مهرماه ۱۳۹۵

انتقال سیگنال با پهنای باند بالا در محدوده ۱Tbps شرکت فوجیتسو و موسسه فرانهوفر یک روش جدید تبدیل همزمان طول موج سیگنال‌های تقسیم-تسهیم ارائه کرده اند؛ این سیگنال‌ها اساس ارتباطات نوری هستند. آن‌ها با استفاده از انتقال سیگنال با پهنای باند بالا در محدوده ۱Tbps به این موفقیت دست یافته‌اند. در روش‌های معمول مبدل طول […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه بیست و نهم شهریور ۱۳۹۵

استفاده از MRAMبرای حافظه‌های نهفته فن‌اوری ST-MRAM به عنوان یک حافظه نهفته توسط شرکت Globalfoundries در دسترس قرار می‌گیرد. این حافظه تعبیه شده در ابتدا برای پلت‌فرم‌ ۲۲FDX که از فن‌آوری FD-SOI استفاده می‌کند ارائه شده است اما با توجه به مقیاس پذیر بودن آن در سطح ۲۲نانومتر و فراتر از آن در FinFETها نیز […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه بیست و دوم شهریور۱۳۹۵

ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی به جای ترانزیستورهای سیلیکونی مهندسین مواد دانشگاه وینسکانسین-مدیسون به ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی دست یافته‌اند که جریان عبوری آن‌ها ۹/۱ برابر ترانزیستور‌های سیلیکونی است. این دستاورد در ۲۰ سال گذشته یک رویا محسوب می‌شده است.همچنان ناشناخته‌های بسیاری در مورد نانوتیوب‌های کربنی وجود دارد که تا کنون به آن پی برده نشده‌است که موجب […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه پانزدهم شهریور ۱۳۹۵

توسعه بسته‌بندی لوله ای برایICهای سیلیکونی انعطاف‌پذیر مهندسین کره‌ای روند فن‌آوری بسته‌بندی تراشه را که موجب انعطاف‌پذیری مدارهای مجتمع می‌شود، توسعه می دهند. این روند با یک تکه ویفر حافظه فلش پس از نازک شدن تا ۱۰۰ نانو متر آغاز می‌شود. اینdieها به یک حامل پلاستیکی متصل شده که این حامل بهdieها این امکان را […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه هشتم شهریور ۱۳۹۵

مواد سیلیکونی برای باتری‌های قابل شارژ لیتیوم-یون محققان شرکت MANA و موسسه فن‌آوری جورجیا یک ماده آند برای باتری‌های لیتیوم-یون به طور مشترک ارتقا داده‌اند. با شکل دادن به نانوذرات ساخته شده از مواد مرکب فلز سیلیکون ساخته شده‌اند. گفته می‌شود مواد آند دارای ظرفیت و طول عمر دو برابر نسبت به مواد معمولی مورد […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه یکم شهریور ۱۳۹۵

آزمون SELFA برای مشاهده ایمنی این آزمون در UCLA انجام شده و با استفاده از فن‌آوری آزمایشگاه بر روی تراشه میزان مخاطره‌آمیز بودن نانومواد مهندسی شده را پیش‌بینی می‌کند. در ضمن این آزمون می‌تواند نشانگرهای بیولوژیکی را تشخیص دهد که ااین نشانگرها می‌توانند به دانشمندان و پزشکان در تشخیص سرطان‌ها و بیماری‌های عفونی کمک کنند. […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه بیست و پنجم مرداد ۱۳۹۵

مدیریت مصرف IC چند کاناله همه‌کاره شرکت LTC راه حل مدیریت مصرف توان برای سیستم‌هایی که نیازمند چندین منبع تغذیه ولتاژ پایین هستند را راه‌اندازی کرده است، این وسیله قابلیت فراهم کردن ۲ تا ۸ خروجی مستقل تنظیم شده با ۱۵ جریان خروجی مختلف را دارد.تنظیم کننده‌های سوئیچینگ LTC در دو حالت کار می‌کنند: حالت […]

بیشتر بخوانید
Showing 91 to 100 of 223 results