دوشتبه ۱۹ مهرماه ۱۳۹۵
ساخت کوچکترین ترانزیستور با گیت ۱ نانومتری آزمایشگاه ملی لارنس برکلی ترانزیستوری با گیت ۱ نانومتر با استفاده از دیسولفید مولبیدن دو بعدی، یک نانوتیوب کربن و دیاکسید زیرکونیوم به عنوان عایق ساختهاست. از آنجایی که طول گیت ترانزیستور بیانگر ابعاد ترانزیستور است با ساخت ترانزیستوری با گیت ۱ نانومتر و با انتخاب مواد مناسب […]