دوشنبه ۹ اسفند ۱۳۹۵

راه‌ اندازی پیشرفته ترین هسته ارتباطی DSP برای حل چالش‌های بحرانی در سیستم‌های ارتباطی مدرن DSP ارتباطی پیشرفته‌ای راه اندازی شده است.DSPها پیش از این توانایی کار کردن با سیستم‌های ۵G و کاربردهای با محدوده ۸۰ گیگا هرتز میلی متر موج (MMWave) تا ۴۵۰ مگاهرتز را ندارند. شش پیشرفت اصلی این DSPها در معماری میکروی […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۲ اسفندماه ۱۳۹۵

میکرو LED گروه پژوهشی فرانسوی آزمایشگاه Leti یک میکرو LED با ابعاد ۸۷۳x۵۰۰ با پیکسل ۱۰ میکرومتری معرفی کرده است. کاربرد این میکرو LED در واقعیت افزوده،  واقعیت مجازی و پوشیدنی‌های الکترونیکی است. فرآیند کلیدی دستیابی به چنین پیکسل های کوچکی یک ترکیب از چندین مرحله ساخت فلز برای ساخت یک کاتد مشترک است، که […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۲۵ بهمن ماه ۱۳۹۵

انتقال و دریافت تراهرتز با ICهای سیلیکونی دانشگاه پرینستون تراشه‌های سیلیکونی‌ای برای ارسال و دریافت سیگنال‌های تراهرتز ساخته است.  با توجه به گفته پژوهشگران دانشگاه، راه حل کاهش اندازه قطعات تراهرتز به اندازه‌ی تراشه به تجسم دوباره به چگونگی کارکرد آنتن بستگی دارد.  در اینجا یک روش برای استخراج اطلاعات سیگنال تراهرتزتابیده شده وجود دارد […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۱۸ بهمن ۱۳۹۵

القاگر جدید موراتا برای NFC موراتا القاگر جدید خود را برای ارتباط حوزه نزدیک(NFC) را همراه با طرح‌ای بهبود یافته قبلی خود معرفی می‌کند. در سال‌های اخیر تعداد دستگاه‌های الکترونیکی مانند تلفن‌های همراه هوشمند با قابلیت شناخت NFC افزایش یافته است. مدارهای NFC از یک تراشه القاگر برای تطبیق امپدانس استفاده می‌کنند. با این حال […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۱۱ بهمن ماه ۱۳۹۵

الکترو-عضلانی ساخته شده از الیاف طبیعی پژوهشگران سوئدی عضلاتی را با استفاده از الیاف طبیعی پوششی با پلیمرهای فعال ساخته اند. اگر الیاف به جای در کنار هم قرار گرفتن بافته شوند نیروی محرک بیشتری تولید می‌کنند. پلیمری به نام پلی‌پیرول می‌تواند با کمی تغییر ولتاژ تغییر حجم داشته باشد، در حقیقت از طریق تغییر […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۴ بهمن ۱۳۹۵

سرعت بخشیدن به انتقال داده با تلفیق کننده تراهرتز مهندسان دانشگاه تافتز یک تلفیق کننده با سرعت بالا به اندازه یک تراشه با فرکانس در محدوده تراهرتز در دمای اتاق ساخته‌اند. دستگاه ساخته شده در ولتاژ پایین کار می‌کند. این اختراع می‌تواند شکاف تراهرتز(THz)  که توسعه دستگاه‌های بی سیم قدرتمند را محدود کرده است از […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۲۷ دی ماه ۱۳۹۵

ترانزیستورهای مقیاس پذیر با نیترید گالیوم گروهی از پژوهشگران دانشگاه ایلینوی ادعا می‌کنند که ترانزیستورهای پیشرفته‌ای از سیلیکون با نیترید گالیوم با بهینه سازی ترکیب لایه های نیمه هادی به دست آورده اند.  با همکداری VEECO و IBM این گروه توانسته اند ساختار ترانزیستور HEMT را بر روی بستر سیلیکونی ۲۰۰ میلی‌متری با یک فرآیند […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۱۸ دی ماه ۱۳۹۵

شارژر بی‌سیم تا ۴۰ وات Semtech خانواده‌ای از شارژرهای بی‌سیم را که کاربردی تا توان ۴۰ وات را پشتیبانی می‌کنند، معرفی کرده است. با پیاده‌سازی آخرین مدل این شارژرها مشاهده شد که این امکان وجود دارد با بالا رفتن توان همچنان سازگاری آن ثابت باقی بماند. این شرکت ادعا می‌کند که از یک رویکرد مبتنی […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۱۱ دی ماه ۱۳۹۵

رشد صعودی نیمه‌هادی‌ها پیش‌بینی‌ها در بازار نیمه‌هادی‌ها در سال ۲۰۱۷ شروع شده است، در کل این پیش‌بینی مثبت‌تر از سه سال گذشته است. بازاری که در دو سال گذشته هیج رشدی نداشته است. هیچ دلیل مشخصی برای امید به صعودی بودن روند رشد نیمه‌هادی‌ها همچنان وجود ندارد به جز اینکه صندوق بین المللی پول (IMF) […]

بیشتر بخوانید

دوشنبه ۶ دی ماه ۱۳۹۵

سرعت بالای الکترون‌ها در گرافن الکترون‌ها در گرافن تحرک بالایی دارند و واکنش‌های سریعی نشان می‌دهند. با اصابت یون زنون بر فیلم گرافن تعداد زیادی الکترون در نقطه‌ای از گرافن خارج می‌شوند. از آنجایی که در کمتر از یک فمتو ثانیه این الکترون‌ها جایگزین می‌شوند جریان بسیار زیادی ایجاد می‌شود. چگالی جریان در اینجا هزار […]

بیشتر بخوانید
Showing 61 to 70 of 172 results