دوشنبه ۲۵ خرداد ماه ۹۶
مدل جدید برای حافظههای دو بعدی حافظههای دسترسی تصادفی مقاومتی (RRAM) با استفاده از گرافن درساختارهای واندروالسی سنتز میشوند. تیم تحقیقاتی ادعا می کند دستگاه های تجاری موجود دو بعدی که توانایی توصیف و پیش بینی رفتار دستگاه برای تولید انبوه را دارند بسیار کم است. برای مقابله با این مسأله، این محققان یک RRAM با الکترود […]