اکسید گالیم برای افزایش عملکرد FET
یکی از بزرگترین معایب در جهان میکروالکترونیک استفاده همیشه از توان مناسب است. طراحان همیشه باید به دنبال کاهش توان مصرفی و تولید گرمای غیر ضروری باشند. بدین منظور، محققان خواص اکسید‌های رسانایی شفاف را بررسی می‌کنند که گفته می‌شود ترکیبی از هدایت و شفافیت بر روی طیف بصری است. یکی از اکسید‌های رسانایی دارای خواصی است که می‌تواند در سوئیچینگ به خوبی عمل کند.
تیم تحقیقاتی در مقاله خود، استفاده از اکسید گالیم در ساخت میکروالکترونیک‌ها را ارائه می‌دهد و از بهره بردن FETها از قدرت میدان الکتریکی ایجاد شده با این اکسید خبر می‌دهد. برنامه بعدی برای اکسید گالیم یک فاز یکپارچه برای منابع توان خواهد بود. قدرت میدان اکسید گالیم بیش از ۲۰ برابر سیلیکون، بیش از دو برابر کاربید سیلیکون و نیترید گالیم است. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
دی‌اکسید وانادیوم انقلابی در الکترونیک آینده
گفته می‌شود دی‌اکسید وانادیوم(VO۲)به عنوان یک عایق در دمای اتاق عمل می‌کند، در حالیکه در دمای بالای ۶۸ درجه سانتیگراد مانند رسانا رفتار می‌کند. گفته می‌شود که ساختار اتمی VO۲با افزایش دما تغییر می‌کند، انتقال از یک ساختار بلوری در دمای اتاق به یک فلز در دمای بالای ۶۸ درجه سانتیگراد که در کمتر از ۱ نانوثانیه رخ می‌دهد. VO۲همچنین به عوامل دیگری حساس است که می‌تواند باعث تغییر فاز شود، مانند تزریق الکتریسیته، که به صورت بصری یا یک پالس رادیویی THzتغییر می‌کند.
دمای انتقال ۶۸ درجه سانتیگراد برای دستگاه‌های الکترونیکی مدرن بسیار پایین است. با این حال، دو پژوهشگر EPFLدریافتند که افزودن ژرمانیوم به فیلم VO۲می‌تواند دمای تغییر فاز ماده را به بیش از ۱۰۰ درجه سانتیگراد افزایش دهد.امید است که این اکتشافات تحقیق بیشتری را در زمینه برنامه‌های کاربردی برای VO۲در دستگاه‌های الکترونیکی بسیار قدرتمند ایجاد کند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
