FET پنج نانومتری دو بعد
Imec و دانشگاه پیزا اولین بهینه سازی FETهابرمبنایمواد دو بعدی برای کاربردهای منطقی با کارایی بالا در مقیاس کوچکتر از ۱۰نانومتر را انجام داده‌اند.همچنین Imec طرح‌های نوینی ارائه داده است که امکان استفاده از مواد دو بعدی تک لایه را می‌دهد. این امر ابعاد ترانزیستور را تا طول گیت ۵ نانومتر کاهش می دهد. مواد دوبعدی در اصل خانواده‌ای از مواد هستند که کریستال‌های دو بعدی را به وجود می‌آورند و می‌توان با استفاده از آن‌ها ترانزیستورهایی با ضخامت یک اتم و طول گیت چند نانومتر ساخت. دانشمندان Imec راهنمایی برای انتخاب مواد، طراحی دستگاه‌ها و بهبود کارایی ارائه داده‌اند تا تراشه‌های منطقی با کارایی بالا و کمتر از ۱۰ نانومتر بسازند. برای مطالعه بیشتر می‌توانید به اینجا مراجعه کنید.
توسعه BEOL توسط Imec
Imec یک راه حل الکتریکی کاربردی برای BEOL ۵ نانومتری ارائه داده است. این راه حل یک ماژول دو جداره با ترکیبی چند الگویی و چند بلاکی است. در این روش با استفاده از تقویت کننده‌های مقیاس‌پذیر و قوانین طراحی تهاجمی راه را برای ابعاد کوچکتر باز می کنند. همچنان که تحقیق و توسعه به سمت فن‌آوری ۵ نانومتر می‌رود سیم‌بندی مسی BEOL تراشه‌ها پیچیده‌تر و متراکم تر می‌شوند. برای مدت طولانی Imec در حال بررسی گزینه‌های مختلف فلزات برای جایگزینی یا قرار دادن تک لایه‌های خودکار و یا بهره برداری از اسپین الکترون برای انتقال سیگنال است. به عنوان مثال پژوهشگران به طور تجربی نشان داده اند که امواج اسپین می توانند بیش از چند میکرومتر، فاصله مورد نیاز ارتباطات کوتاه و متوسط جابجا شوند. برای مطالعه بیشتر می‌توانید به اینجا مراجعه کنید.
