ترانزیستورهای مقیاس پذیر با نیترید گالیوم
گروهی از پژوهشگران دانشگاه ایلینوی ادعا می‌کنند که ترانزیستورهای پیشرفته‌ای از سیلیکون با نیترید گالیوم با بهینه سازی ترکیب لایه های نیمه هادی به دست آورده اند. با همکداری VEECO و IBM این گروه توانسته اند ساختار ترانزیستور HEMT را بر روی بستر سیلیکونی ۲۰۰ میلی‌متری با یک فرآیند تکرار پذیر گسترش دهد.
پژوهشگران ساختار نیترید گالیوم HEMT را بر روی پلت فرم سیلیکونی ایجاد کرده‌اند، زیرا این ساختار با فرآیند تولید CMOS سازگار است. زمانی که نیترید گالیوم. در بالا رشد داده شود فشار زیادی بین لایه ها به وجود می‌آید که برای کمک باید لایه های بافر به آن اضافه کرد. بهترین نوع آن. نیترید. آلومینیومی گالیوم است که باعث کاهش استرس نیزمی‌شود. با فشار کمتر در لایه نیترید گالیوم تحرک بالاتر الکترون‌ها ودر نتیجه فرکانس عملکرد بالاتر راخواهیم داشت. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
NRAM برای زمان بزرگ آماده می‌شود
فن‌آوری حافظه‌های غیر فرار بر پایه نانو‌لوله کربن طبق برنامه در سال ۲۰۱۸ تجاری سازی می‌شود. پژوهشگران موجی از ابداع را درپردازش همراه، دستگاه های اینترنت اشیا و… پیش بینی می‌کند.
این فن‌آوری که توسط شرکت Nantero ارائه شده NRAM نام دارد که سرعت آن با DRAM برابری دارد. حافظه‌های غیر فرار مانند حافظه‌های فلش در زمان آماده به کار توانی مصرف نمی‌کنند. این شرکت مدعی است حافظه های غیر فرار چگال‌تر، سریعتر، با مصرف انرژی کمتر و با چرخه دوباره نویسی بهتر هستند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
توان بیشتر در کنار شارژ سریعتر
یک گروه پژوهشی در دانشگاه UCLA ادعا می‌کند پیشرفت عظیمی درتوسعه ابر خازن داشته‌اند. در این پژوهش‌ها به دستگاه‌هایی با باطری با طول عمر بیشتر در کنار شارژ سریعتر دست یافته‌اند. با عوض کردن ساختار اتمی به ساختار لینز چه در باطری‌هایی با طول عمر بالا و چه در باطری‌هایی که سریعتر شارژ می شوند، ساختار جدید این امکان را به یون‌ها می‌دهد تا سریعتر در ماده حرکت کنند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
