کشف بهتر از گرافن
محققان دانشگاه‌های منچشتر و ناتینگهام یک ماده جدید و بهتر از گرافن برای کاربردهای الکترونیک یافته‌اند. کریستال InSe با ضخامت چند اتم وخاصیت نیمه هادی بهتر از گرافن است. InSe فوق العاده نازک است و به نظر می‌رسد همانند گرافن بدنه نازکی نیز به وجود آورد تا ابعادی در مقیاس نانومتر داشته باشیم. همانند سیلیکون InSe نیز نیمه هادی خوبی است. برای جلوگیری از آسیب‌های جوی، کریستال InSe اولین بار در اتمسفر آرگون رشد داده شده است. محققان بر این باور هستند که ورقه‌های تجاری InSe نیز تولید خواهند شد.برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
ترکیبJTAG و Altium
JTAG وAltium درکنارهم به طراحان این امکان را می‌دهندتا قبل از پیاده سازی، منابع آزمون پویش مرزی را تعیین کنند. در اینجا نقشه‌های JTAG به عنوان یک افزونه رایگان به ابزارطراحی Altium اضافه می‌شود. به دلیل اینکه مدل‌های BSDL همواره در دسترس نیستند شرکتها نقشه های JTAG را بدون BSDL مشخص ( که نشان می‌دهد کدام پین‌ها قابل کنترل یا مشاهده هستند) به عنوان نقشه پویش پوشش داده شده در نظر می‌گیرد.
این ویژگی را می توان در پویش خطای یک اتصال یا مشخص کردن تفاوت‌ها در پوشش خطا بین دو قسمت معادل به کار برد. یک قسمت دارای پوشش مرزی JTAG و دیگری فاقد آن است. نقشه‌های استفاده شده در Altium به صورت اتوماتیک زنجیره اسکن را بدون هیچ محدودیتی در تعداد مسیرهای طراحی شده شناسایی می‌کنند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
مونو کریستال نیمه هادی
دانشمندان بریتانیایی مونو کریستال نیمه هادی آلی رشد داده‌اند که اندازه‌ی آن برای ساخت FET مناسب است. این FETها منحنی مشخصه بهتری دارند. یک راه معمول برای ساخت کریستال نیمه هادی آلی حل کردن مواد در حلال مناسب و پخش آن بر روی یک سطح است. در حقیقت نیمه هادی آلی را در یک حلال فرار حل می‌کنند در حالی که زیرلایه (substrate) را در حلالی دیگر که ضد حلال قبلی است حل می‌کنند. تنها مشکل نیمه هادی‌ها آلی تحرک کم آن‌ها است. این مسأله نیز در حال بررسی است و انتظار می‌رود به زودی حل شود. برای مطالعه بیشتر بر روی چگونگی ساخت این نیمه هادی‌ها به اینجا مراجعه کنید.
