دوشنبه بیست و نهم شهریور ۱۳۹۵

استفاده از MRAMبرای حافظه‌های نهفته

فن‌اوری ST-MRAM به عنوان یک حافظه نهفته توسط شرکت Globalfoundries در دسترس قرار می‌گیرد. این حافظه تعبیه شده در ابتدا برای پلت‌فرم‌ ۲۲FDX که از فن‌آوری FD-SOI استفاده می‌کند ارائه شده است اما با توجه به مقیاس پذیر بودن آن در سطح ۲۲نانومتر و فراتر از آن در FinFETها نیز قابل استفاده خواهند بود.

این فن‌آوری برای ذخیره‌سازی کد وبرنامه‌های کاربردی بر روی حافظه با بازده بالا طراحی شده که برای محصولات IoT که از باتری استفاده می‌کنند و طول عمر باتری در آن‌ها اهمیت دارد کاملاً مناسب است. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.

 رونمایی از روند ارائه FinFET ۷نانومتری

شرکت Globalfoundries برای ارائه فرایند تولید نیمه‌هادی FinFET ۷نانومتری از از چگونگی عملکرد خود در برنامه‌های محاسباتی آتی خبر داد، این حرکت که نیازمند سرمایه گذاری چند میلیارد دلاری خواهد بود با تغییر در روند تولید FinFET ۱۴ نانومتری انجام می‌شود.

به گفته محققان این شرکت این روند دارای چگالی منطق دو برابر و ۳۰% بهبود در کارایی در مقایسه با FinFET ۱۴ نانومتری است. FinFET ۷نانومتری توسط یک پلت‌فرم کامل شامل ارائه‌ای از ASIC پشتیبانی می شود. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.

سلول‌های کوچک ذخیره انرژی  برای گره‌های IoT

به جای استفاده از ابرخازن‌ها از باتری‌های الکتروشیمیایی لیتیومی که شبیه به باتری‌های تلفن‌های همراه هستند استفاده می‌شود. این امر موجب بالا رفتن طول عمر باطری،‌ گسترش محدوده دما، کاهش تخلیه خود به خود باتری و بالا بردن توان سیستم می‌شود. همانطور که می‌دانیم دمای بالا موجب می‌شود که باتری‌های لیتیومی تلفن‌های همراه به سرعت دشارژ شوند. اما شرکت Murata ادعا می‌کند که اگر از مواد پایدار شیمیایی درسلول‌های تیتانیتی لیتیوم استفاده شود، افزایش دما تأثیر ناچیزی بر روی تخلیه خود به خود باتری خواهد داشت. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.