ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی به جای ترانزیستورهای سیلیکونی
مهندسین مواد دانشگاه وینسکانسین-مدیسون به ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی دست یافته‌اند که جریان عبوری آن‌ها ۹/۱ برابر ترانزیستورهای سیلیکونی است. این دستاورد در ۲۰ سال گذشته یک رویا محسوب می‌شده است.همچنان ناشناخته‌های بسیاری در مورد نانوتیوب‌های کربنی وجود دارد که تا کنون به آن پی برده نشده‌است که موجب نارضایتی دانشمندان در این زمینه است. اما پیش‌بینی می‌شود که طی چند دهه آتی علم مواد نانوتیوب کربنی به صورت کامل به کار گیرد. موفقیت در به کار گیری ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی یک پیشرفت مهم به منظور بهره‌گیری از آن‌ها در منطق، ارتباطات با سرعت بالا و سایر فن‌آوری‌های مربوط به نیمه‌هادی‌ها محسوب می‌شود. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
کد گذاری بیین زیرآرایه‌های آنتن
فوجیتسو با استفاده از فن‌آوری کدگذاری بین زیرآرایه‌های آنتن فن‌آوری ۵G با توان پایین، پیاده‌سازی عملی ارتباطات پر سرعت موج میلی‌متری را فراهم می‌سازد. فوجیتسو اعلان داشته است که یک نمونه اولیه بی‌سیم از فن‌آوری کدگذاری بین زیر‌آرایه‌ها را ساخته است. این سیستم دستیابی به انتقال اطلاعات تا ۱۰ گیکابیت بر ثانیه را میسر ساخته است، در حالی که مصرف توان آن همتراز با WiFi است.به منظور دستیابی به نرخ ارتباطی ۵G، تحقیقات بر روی HYBRID beamforming که با استفاده از باند موج میلی‌متری و عناصر چند آنتنی برای انتقال سیگنال‌ها به صورت همزمان مانند ارسال به هر دستگاه به صورت مجزا، متمرکز شده است. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
نانو ذرات سیلیکونی به جای نیمه‌هادی‌ها
فیزیکدانان دانشگاه دولتی مسکو یک راه برای اجبار نانو ذرات سیلیکونی به درخشش در برابر تابشی با قدرت مناسب به جای نیمه‌هادی‌های استفاده شده در صفحه نمایش یافته‌اند.امروزه نیمه‌هادی‌های مختلفی مانند CdSe مورد استفاده قرار می‌گیرند. به دلیل اینکه این مواد سمی و گران هستند محققان به دنبال سیلیکونی ارزان‌تر و بهتر هستند. این تیم تحقیقاتی با یک شبکه پلاسمون که رشته‌هایی در مقیاس نانو دارد و می‌تواند نور را نگه داشته و این امکان را می‌دهد تا با رشته مجاور با بالا بردن تابندگی تعامل موثر داشته باشد، کارایی نانوذرات سیلیکونی را بالا برده‌اند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
