دوشنبه ۲۵ خرداد ماه ۹۶

مدل جدید برای حافظه‌های دو بعدی

حافظه‌های دسترسی تصادفی مقاومتی (RRAM) با استفاده از گرافن درساختارهای واندروالسی سنتز می‌شوند. تیم تحقیقاتی ادعا می کند دستگاه های تجاری موجود دو بعدی که توانایی توصیف و پیش بینی رفتار دستگاه برای تولید انبوه را دارند بسیار کم است. برای مقابله با این مسأله، این محققان یک RRAM با الکترود گرافن و دی الکتریک نیترید بور شش ضلعی را توسعه داده‌اند. آنها از روش‌های مقیاس پذیر استفاده کرده و دستگاهی ساخته‌اند که می‌تواند سوئیچینگ مقاومتی تجدید پذیر داشته باشد. بر اساس این ادعا این RRAM برای ذخیره اطلاعات با چگالی بالا در آینده بهترین فن‌آوری پیشنهادی است. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.

پروب اتوماتیک برای تراشه های سه‌بعدی

IMEC و MICROTECH یک سیستم تمام خودکار برای تست پیش-بند تراشه‌های سه بعدی پیشرفته را با موفقیت بهبود داده‌اند. این سیستم جدید با آرایه های بزرگ از گام‌های ۴۰ میکرومتر بر روی ویفر‌های ۳۰ میلی متری، امکان پروب کردن و آزمون را فراهم می‌سازد.

ارتباط میان-تراشه ICهای انباشته شده به صورت سه‌بعدی توسط آرایه های بزرگ از ریزگام، پروب کردن این برجستگی‌ها را به یک چالش بدل کرده است. تا به امروز، راه حل پروب کردن اضافه کردن  پیش-باند پروب به هر پشته بود که فضای زیادی را اشغال کرده بسیار زمانبر است. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.

FPGAهای هدفمند ۱۶ نانومتری

مراکز داده در شبکه نیاز به پروتکل‌های سخت‌افزاری با قابلیت پیکر بندی مجدد را دارند. بنابراین سوئیچ‌ها، کارت‌های شبکه و دیگر تراشه‌های شبکه به قابلیت برنامه‌ریزی مجدد نیاز دارند. این کار توانایی تراشه‌ها را افزایش می‌دهد در ضمن اینکه هزینه را کاهش می‌دهد. نسخه ۱۶ نانومتری FPGA جدید دارای ۶ ورودی با خروجی‌های دوگانه و فلیپ فلاپ‌های اجتیاری برای تست است. حالت تست جدید زمان بسیار کمتری صرف می‌کند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.


About the Author : admin