- محصولات
- Atmel
- Toshiba
- Qualcomm
- D-Wave
- Intelligent Memory
- Samsung
محصولات
۱- شرکت Atmel سری جدید از میکروکنترلرها بر پایه معماری ARM Cortex M0 را به بازار معرفی کرد. این میکروکنترلراز مدل SAM و سری L می باشد و دارای بالاترین نمره در اجرای بنچ مارک های EEMBC ULPBench (از بنچ مارک هایی سنجش توان) می باشد. این میکروکنترلر دارای صفحه خازنی به همراه یک سگمنت کنترلر LCD نیز هستند. این قطعه جدید همچنین دارای سیستم امنیتی جدید شامل ۲۵۶ بیت سیستم کدگذاری پیشرفته، سیستم چک کردن درستی داده، و بسیاری دیگر از ویژگی ها برای امنیت و جلوگیری از تداخل می باشد.
http://ir.atmel.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=927950
۲- شرکت Toshiba نسل جدید از Photocoupler های خود را برای پشتیبانی از مخابرات انتقال سیگنال با نرخ ۱۰۰ کیلو بیت بر ثانیه به بازار معرفی کرد که این می تواند دارای جریان درایو ورودی به اندازه ی ۱mA باشد. این قطعه جدید برای کاربردهایی که به کارایی عایق بندی نیاز دارند، بسیار مناسب می باشد.
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/new-products/opto/opto-20150819–۱.html
۳- شرکت Qualcomm اعلام کرد برای اجرای بهینه از لحاظ توان، در برخی از app های گوشی تلفن همراه، بهتر است از یک پردازنده ی سیگنال دیجیتال (DSP) بجای CPU استفاده گردد. به همین منظور این شرکت DSP بزرگتری را به پردازنده ی Snapdragon 820 خود اضافه می کند. در قبل از ماژول های DSP فقط به منظور اجرای کارهای محدود مانند مودم داده در گوشی های همراه استفاده می شد. استفاده از این DSP ها می توانند در اجرای ویدئوها، نمایش عکس و پخش موسیقی بسیار مفید باشد و توانسته است که میزان طول عمر باتری را دو برابر کند.
۴- شرکت D-Wave تنها شرکت فروش پردازندهای کوانتومی در کانادا می باشد که مشتریان بزرگی از جمله گوگل و ناسا را در شمار استفاده کنندگان از پردازندهای خود دارد. این شرکت اخیرا اعلام کرده که توانسته است تا سرعت پردازندهای خود را تا دو برابر افزایش دهد. اما شرکت های متخصص در این زمینه براین نظرند که تست انجام گرفته برای انجام این کارآیی مناسب نبوده است.
۵- شرکت Intelligent Memory نسل جدید از حافظه های DRAM خود را به بازار معرفی کرد که این حافظه ها بهترین کارآیی را در برابر دما و استرس خواهند داشت. این حافظه ها در دمای ۱۲۵ درجه دارای درجه کیفیت ۱ AEC-Q100 می باشند. در بسیاری از کاربردهای همانند اتومبیل، هوافضا، هواپیمایی و نظامی، حافظه تحت شرایط محیطی بدی از لحاظ دما و پرتوهای اطراف قرار می گیرد که این می توانند موجب افزایش خطاهای نرم(Soft Error) و زمان نگه داری(Retention Time) در DRAM گردد که IM توانسته است تا راه حل هایی را برای این مشکلات در نسل جدید حافظه های خود ارائه کند.
۶- شرکت Samsung نسل جدیدی از حافظه های V-NAND ، به صورت ۴۸ لایه را به بازار معرفی کرد. این حافظه ها دارای ظرفیت سه بیت در هر سلول می باشد و حجم آنها ۲۵۶Gbit می باشد. این حافظه های معرفی شده، میزان توان مصرفی ۳۰% کمتر از نمونه ی ۳۲ لایه و ۱۲۸Gb V-NAND را دارد. در هفته های گذشته، شرکت Toshiba نمونه ای از این حافظه های ۴۸ لایه به نام BiCS را معرفی کرده بود.
