دستیابی به حافظه فِروالکتریک سازگار با CMOS
IMECبا استفاده از ماده‌ای جدید و معماری نوین یک حافظه غیر فرار با پتانسیل بهبود مصرف توان سرعت سوئیچ کردن، مقیاس پذیری و ماندگاری است. حافظه فِروالکتریک بسیار کم مصرف است و رفتار غیر فرار دارد و سرعت بالای سوئیچ کردن آن موجب می‌شود همواره ایده‌آل باشد.
FeFETها می توانند به عنوان یک فن‌آوری برای ساخت حافظه‌های شبیه به حافظه‌های فلش با مزایای مقیاس پذیری بیشتر ساده سازی پردازش و مصرف توان کمتر مورد استفاده قرار گیرند. در حقیقت می توان از این حافظه‌ها برای دو منظور حافظه‌های مستقل و نهفته در نقاط مختلف سلسله مراتب حافظه استفاده کرد.برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
رکورد جدید در سرعت ارتباطات نوری
محققان موسسه فن‌آوری کارلسروهه (KIT) و موسسه پلی‌تکنیک فدرال لوزان یک رکورد جدید انتقال داده نوری را به ثبت رسانده‌اند. سالیتون‌های نوری بسته‌های موج ویژه ای هستند که بدون تغییر شکل را انتشار می‌یابند. در ارتباطات نوری، سالیتون می تواند برای تولید خطوط طیفی مختلف مورد استفاده قرار گیرد. هر خط طیفی را می توان برای انتقال یک کانال داده‌ی جداگانه استفاده شود.
میکرو تشدید کننده سالیتون می توان نه تنها در فرستنده، بلکه در سمت گیرنده نیز استفاده می شود.این رکورد جدید یک گام مهم به سوی کارآمدی فرستنده و گیرنده در مقیاس تراشه برای شبکه های پتابیت در آینده است. برای مطالعه بیشتر می‌توانید به اینجا مراجعه کنید.
ترانزیستور سیلیکونی پنج نانومتری نانوصفحه
تحقیقات IBM، گلوبال و سامسونگ روند ساخت ترانزیستورهای نانو صفحه سیلیکونی ۵نانومتری را توسعه داده‌اند. کارایی چنین دستگاهی در توسعه محاسبات شناختی، اینترنت اشیاء و سایر کاربردهای با داده‌های کلان است. لیتوگرافی EUVنقش کلیدی در توسعه و تنظیم عرض نانو صفحه را در این دستگاه‌ها بازی می‌کند. بر اساس گفته تیم تحقیقاتی، در مقایسه با فن‌آوری ۱۰ نانومتری یک دستگاه ۵ نانومتری نانو صفحه‌ای می تواند کارایی ۴۰ درصد بالاتر با مصرف توان ثابت و ۷۵ درصد مصرف کمتر با ثابت نگاه داشتن کارایی دارد.برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
