ترانزیستورهای بر مبنای الماس
مدارهای منطقی ساخته شده از MOSFETهای بر مبنای الماس در دو حالت عملکرد برای اولین بار توسط گروه تحقیقاتی NIMS توسعه داده شده‌اند. بر اساس گفته‌های پژوهشگران الماس برای استفاده در توسعه مدارهای مجتمع جدید که باید در دمای بالا و فرکانس بالا عملکرد پایداری داشته باشند، ماده‌ای قابل اتکا است. همواره استفاده از MOSFETها با پایه الماس برای کنترل ولتاژ آستانه بسیار مشکل بوده است. برای حل این مسأله گروه تحقیقاتی تکنیک کنترل ولتاژ آستانه را توسعه داده است که با ساخت الماس هیدروژنه MOSFET در دو حالت D و E قرار خواهد گرفت. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
حل مشکل چسبندگی با حسگرهای نانو
منبع اصلی خرابی حسگرهای داخلی MEMها چسبندگی ایجاد شده توسط تعدادی از نیروهای جاذبه‌ای است که در سطح ماکرو وجود دارند. یک شرکت اسپانیایی با نام Nanusens ادعا می‌کند که این مشکل را با تغییر سطح از ماکرو به نانو حل کرده است. پژوهشگران این شرکت مدعی‌اند که کارکرد اولین حسگرهای نانو ساخته شده بیش از حد انتظارات آن‌ها قبل از ساخت بوده‌است. حسگرهای نانو با استفاده از فرآیندهای CMOS استاندارد و تکنیک‌های ماسک ساخته شده و انتظار می‌رود که نسل جدید طراحی از فرآیندهای ۰.۱۸ µm شرکت Nanusens استفاده کنند. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
شکستن رکورد ذخیره سازی مغناطیسی
دانشمندان شرکت IBM توانسته‌اند ۲۰۱ گیگابیت داده را بر روی یک اینچ مربع از یک نوار مغناطیسی ذخیره کنند. داده‌ها بر روی یک نوار مغناطیسی اسپکتومتریک تولید شده توسط شرکت سونی، ذخیره شده‌اند.بدین منظور دانشمندان نیاز به توسعه چندین فن‌آوری داشته‌اند. برای مثال الگوریتم پردازش سیگنال بر اساس اصول تشخیص و پیش بینی نویز، مجموعه‌ای از فن‌آوریهای کنترل پیشرفته و یک فن‌آوری سرامیکی برای کار با نوارهای بسیار نرم است. برای مطالعه بیشتر به اینجا مراجعه کنید.
